Owners Manual

表. 36: 内存填充 （续）
DIMM 类型 填充的 DIMM 数/通
道
电压
操作频率 (MT/s) 最大 DIMM 列数/通道
2 2400、2133、1866
四列
3 2133、1866
四列
一般内存模块安装原则
注: 不遵循这些原则的内存配置可能会导致系统无法引导、在内存配置过程中停止响应或操作内存减少。
此系统支持灵活内存配置，使系统能够在任何有效芯片组结构配置中配置和运行。建议您遵循以下原则，以安装内存模块：
● RDIMM 和 LRDIMM 不得混用。
● 基于 x4 和 x8 DRAM 的内存模块可以混用。有关更多信息，请参阅“模式特定原则”部分。
● 每个通道最多可填充三个双列或单列 RDIMM。
● 无论列数是多少，每个通道最多可以填充三个 LRDIMM。
● 如果安装不同速度的内存模块，它们将以最低或较低安装内存模块速度运行（具体取决于系统 DIMM 配置）。
● 仅在安装处理器时填充内存模块插槽。对于单处理器系统，插槽 A1 至 A12 可用。对于双处理器系统，插槽 A1 至 A12 和插槽 B1
至 B12 可用。
● 首先填充所有带白色释放卡舌的插槽，然后填充带黑色释放卡舌的插槽，最后填充带绿色释放卡舌的插槽。
● 当混合使用具有不同容量的内存模块时，首先用具有最高容量的内存模块填充插槽。例如，如果要混用 8 GB 和 4 GB 内存模块，
则用 8 GB 内存模块填充具有白色释放卡舌的插槽，再用 4 GB 内存模块填充具有黑色释放卡舌的插槽。
● 在双处理器配置中，每个处理器的内存配置应该相同。例如，如果填充处理器 1 的插槽 A1，则填充处理器 2 的插槽 B1，以此类
推。
● 如果遵循其他内存填充规则，则不同容量的内存模块可以混用（例如，4 GB 和 8 GB 内存模块可以混用）。
● 不支持在同一个系统中混合使用两个以上的内存模块容量。
● 每个处理器一次填充四个内存模块（每个通道一个 DIMM）以最大化性能。
模式特定原则
系统为每个处理器分配四个内存通道。所容许的配置取决于选取的内存模式。
高级纠错代码
高级纠错代码 (ECC) 模式将 SDDC 从基于 x4 DRAM 的 DIMM 扩展到 x4 和 x8 DRAM。这样可防止正常操作期间单个 DRAM 芯片故
障。
内存模块的安装原则如下：
● 所有内存模块在大小、速度和技术上必须相同。
● 带有白色释放拉杆的内存插槽中安装的 DIMM 必须相同，相同规则适用于带黑色释放拉杆的插槽。这可确保相同 DIMM 以匹配对
安装 - 例如，A1 与 A2、A3 与 A4、A5 与 A6 等。
内存优化独立信道模式
此模式仅针对使用 x4 设备宽度的内存模块支持单设备数据纠正 (SDDC)，不会产生任何特定插槽填充要求。
内存备用
注: 要使用内存备用，必须在系统设置程序中启用此功能。
在此模式下，每个通道的一列保留作为备用列。如果在列上检测到持久可纠正错误，会将此列中的数据复制到备用列，并禁用出现
故障的列。
启用内存备用后，操作系统可用的系统内存将按每个通道减少一列。例如，在带十六个 4 GB 单列内存模块的双处理器配置中，可用
的系统内存是：3/4（列/通道） × 16（内存模块） × 4 GB = 48 GB，而不是 16（内存模块） × 4 GB = 64 GB。
安装和卸下系统组件
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