Datasheet

PEMD3_PIMD3_PUMD3 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2013. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 11 — 25 September 2013 8 of 18
NXP Semiconductors
PEMD3; PIMD3; PUMD3
NPN/PNP resistor-equipped transistors
V
CE
=5V
(1) T
amb
= 100 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 40 C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 40 C
Fig 5. TR1 (NPN): DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 6. TR1 (NPN): Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
V
CE
=0.3V
(1) T
amb
= 40 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 100 C
V
CE
=5V
(1) T
amb
= 40 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 100 C
Fig 7. TR1 (NPN): On-state input voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 8. TR1 (NPN): Off-state input voltage as a
function of collector current; typical values
I
C
(mA)
10
-1
10
2
101
006aac768
10
2
10
10
3
h
FE
1
(1)
(2)
(3)
I
C
(mA)
110
2
10
006aac769
10
-1
1
V
CEsat
(V)
10
-2
(1)
(2)
(3)
006aac770
I
C
(mA)
10
-1
10
2
101
1
10
V
I(on)
(V)
10
-1
(1)
(2)
(3)
I
C
(mA)
10
-1
101
006aac771
1
10
V
I(off)
(V)
10
-1
(1)
(2)
(3)