Datasheet

PBSS4420D_2 © NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 02 — 24 September 2008 8 of 14
NXP Semiconductors
PBSS4420D
20 V, 4 A NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
=50
(3) I
C
/I
B
=10
Fig 9. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 10. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
=50
(3) I
C
/I
B
=10
Fig 11. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
Fig 12. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
006aaa330
10
−2
10
−1
1.0
10
V
CEsat
(V)
10
−3
I
C
(mA)
10
−1
10
5
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(2)
(3)
006aaa331
10
−2
10
−1
1
10
V
CEsat
(V)
10
−3
I
C
(mA)
10
−1
10
5
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(2)
(3)
006aaa335
10
−1
1
10
10
2
R
CEsat
(Ω)
10
−2
I
C
(mA)
10
−1
10
5
10
4
10
3
110
2
10
(3)
(1)
(2)
1
10
−1
10
2
10
10
3
R
CEsat
(Ω)
10
−2
006aaa333
I
C
(mA)
10
−1
10
5
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(2)
(3)