Datasheet

PBSS303PD_2 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 02 — 20 November 2009 10 of 16
NXP Semiconductors
PBSS303PD
60 V, 3 A PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
=50
(3) I
C
/I
B
=10
Fig 10. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 11. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
=50
(3) I
C
/I
B
=10
Fig 12. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
Fig 13. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
006aaa731
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
−10
−1
−1
V
CEsat
(V)
−10
−2
(1)
(2)
(3)
006aaa732
−10
−1
−10
−2
−1
V
CEsat
(V)
−10
−3
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
006aaa733
1
10
−1
10
2
10
10
3
R
CEsat
(Ω)
10
−2
(1)
(2)
(3)
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
006aaa734
1
10
−1
10
2
10
10
3
R
CEsat
(Ω)
10
−2
(1)
(2)
(3)