Datasheet

BCP55_BCX55_BC55PA All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 8 — 24 October 2011 13 of 22
NXP Semiconductors
BCP55; BCX55; BC55PA
60 V, 1 A NPN medium power transistors
V
CE
=2V
(1) T
amb
= 100 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 55 C
T
amb
=25C
Fig 15. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 16. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= 2 V
(1) T
amb
= 55 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 100 C
I
C
/I
B
=10
(1) T
amb
= 100 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 55 C
Fig 17. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 18. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
006aac691
100
200
300
h
FE
0
I
C
(A)
10
–4
10110
–3
10
–1
10
–2
(1)
(2)
(3)
V
CE
(V)
0 2.01.60.8 1.20.4
006aaa084
0.8
0.4
1.2
1.6
I
C
(A)
0
25
20
15
10
5
I
B
(mA) = 50 45 40 35 30
006aac692
0.4
0.8
1.2
V
BE
(V)
0.0
I
C
(mA)
10
–1
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(2)
(3)
006aac693
I
C
(mA)
10
–1
10
4
10
3
110
2
10
10
–1
1
V
CEsat
(V)
10
–2
(1)
(2)
(3)