Datasheet

2001 Nov 07 5
NXP Semiconductors Product data sheet
NPN/PNP general purpose transistor BC847BVN
handbook, halfpage
0
1000
200
400
600
800
MLD699
−10
−2
−10
−1
(1)
−1
I
C
(mA)
h
FE
−10 −10
2
−10
3
(2)
(3)
Fig.6 DC current gain as a function of collector
current: typical values.
TR2 (PNP); V
CE
= −5 V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
−200
−1200
−400
−600
−800
−1000
MLD700
−10
−2
−10
−1
(1)
−1
I
C
(mA)
V
BE
mV
−10 −10
2
−10
3
(3)
(2)
Fig.7 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
TR2 (PNP); V
CE
= −5 V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
−10
4
−10
3
−10
2
−10
MLD701
−10
−1
−1 −10
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
−10
2
−10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.8 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current: typical values.
TR2 (PNP); I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
−200
−1200
−400
−600
−800
−1000
MLD702
−1−10
−1
I
C
(mA)
V
BEsat
(mV)
−10 −10
2
−10
3
(1)
(3)
(2)
Fig.9 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current.
TR2 (PNP); I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.