Datasheet

BC846_SER All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2012. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 9 — 25 September 2012 5 of 15
NXP Semiconductors
BC846 series
65 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
V
CE
=5V
(1) T
amb
= 150 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 55 C
V
CE
=5V
(1) T
amb
= 55 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 150 C
Fig 1. Selection A: DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 2. Selection A: Base-emitter voltage as a function
of collector current; typical values
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 150 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 55 C
I
C
/I
B
=10
(1) T
amb
= 55 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 150 C
Fig 3. Selection A: Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
Fig 4. Selection A: Base-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
mgt723
10
−1
11010
2
10
3
I
C
(mA)
0
400
300
200
100
h
FE
(1)
(2)
(3)
mgt724
10
−1
11010
2
10
3
I
C
(mA)
0
1200
1000
800
600
400
200
V
BE
(mV)
(1)
(2)
(3)
10
3
10
2
10
mgt725
10
−1
11010
2
10
3
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
mgt726
10
−1
11010
2
10
3
I
C
(mA)
0
1200
1000
800
600
400
200
V
BEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)