Datasheet

BC817_BC817W_BC337_6 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 06 — 17 November 2009 7 of 19
NXP Semiconductors
BC817; BC817W; BC337
45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 150 °C
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig 4. Selection -16: Base-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
Fig 5. Selection -25: Base-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig 6. Selection -40: Base-emitter saturation voltage as a function of collector current; typical values
006aaa134
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
1
10
V
BEsat
(V)
10
−1
(1)
(2)
(3)
006aaa135
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
1
10
V
BEsat
(V)
10
−1
(1)
(2)
(3)
006aaa136
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
1
10
V
BEsat
(V)
10
−1
(1)
(2)
(3)