Datasheet

MPSA56
Characteristics Kennwerte
T
j
= 25°C Min. Typ. Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
1
)
- V
CE
= 1 V - I
C
= 10 mA
- I
C
= 100 mA
h
FE
100
100
– –
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg.
1
)
- I
C
= 100 mA - I
B
= 10 mA - V
CEsat
– – 0.25 V
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung
1
)
- I
C
= 100 mA - V
CE
= 1 V - V
BE
– – 1.2 V
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
- V
CB
= 80 V E open - I
CBO
– – 100 nA
Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom
- V
EB
= 4 V C open - I
EBO
– – 100 nA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
- I
C
= 100 mA, - V
CE
= 1 V, f = 100 MHz f
T
50 MHz – –
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
R
thA
< 200 K/W
2
)
Dimensions - Maße [mm]
(1) (2)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]T
A
150100500
Power dissipation versus ambient temperature )
2
Verlustleistung in Abh. von d. U mgeb ungstemp. )
2