Datasheet
MMBTRC116SS ... MMBTRC121SS
MMBTRC116SS ... MMBTRC121SS
SMD Digital NPN Transistors
SMD Digital-NPN-Transistoren
I
O
= 100 mA
T
jmax
= 150°C
V
O
= 50 V
P
tot
= 200 mW
Version 2017-03-02
SOT-23
(TO-236)
1 = In 2 = Gnd 3 = Out
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Digital controls
Switching, Signal processing
Commercial grade
1
)
Typische Anwendungen
Digitale Steuerungen
Schalten, Signalverarbeitung
Standardausführung
1
)
Features
Cost and space savings by integrated
bias resistor combinations
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Platz- und Kosteneinsparung durch
integrierte Widerstandskombination
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
Output voltage – Ausgangs-Spannung V
O
50 V
Output current – Ausgangs-Strom I
O
100 mA
Power dissipation – Verlustleistung P
tot
200 mW
3
)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics Kennwerte
Resistor combinations – Widerstandskombinationen Type Code R1 [kΩ] R2 [kΩ]
MMBTRC116SS YN
1 10
MMBTRC117SS YP 2.2 2.2
MMBTRC118SS YR 2.2 10
MMBTRC119SS YX 4.7 10
MMBTRC120SS YY 10 4.7
MMBTRC121SS YZ 47 10
Input-voltage – Eingangs-Spannung V
I
MMBTRC116SS -5 ... +10 V
T
j
= 25°C MMBTRC117SS -10 ... +12 V
MMBTRC118SS -5 ... +12 V
MMBTRC119SS -7 ... +20 V
MMBTRC120SS -10 ... +30 V
MMBTRC121SS -15 ... +40 V
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C, unless otherwise specified – T
A
= 25°C, wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
2.4
1.3
±0.1
1.1
+0.1
0.4
+0.1
2.9
±0.1
1
2
3
Type
Code
1.9
±0.1
-0.05
-0.2
±0.2
3
1
2
R1
R2
Output
Input Ground