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存储控制器功能 35
用电池保留高速缓存
控制器的 BBU/TBBU 中所包含的锂离子电是用于保存高速存数据的
方法。在电或非法关机时,如果控制器的高速存存器中有数
据,电将用于保存高速存数据,直到源恢复或电池耗尽
修规定,在正常操作情况下,在保修期内的电可提供至少
24 小时的备用电。要延长池寿命不要在 60 摄氏度的度下
或使用电
用非易失性高速缓存 (NVC) 保留高速缓存
NVC 模块可使控制器高速存数据无限期显优于可提供 24 小时
备用电的电。在电或非法关机时,如果控制器的高速存存器中
有数据,电提供的量电可用于将高速存数据传输到易失
中,以便存数据,直到源恢复或系统引导时。
高速缓存数据恢复
H700 H800 插卡上的已占用高速 LED 用于确定高速
数据是被保。如果发生系统电或非法关机则恢复系统电并引导
系统。在引导时,进入控制器的 BIOS 配置公用程序 (<Ctrl><R>)
认是存在保的高速存数据。进入控制器单并选 Managed
Preserved Cache (管理保的高速存)可现该的。如果此处未列
出虚拟磁盘,所有保的高速存数据均成功写入磁盘。
如果 PERC H800 插卡发生故障,整个 TBBU/TNVC 模块地转移到
新的 PERC H800 插卡,而的高速存数据不会受到影响。有关移
安装 TBBU/TNVC 说明请参阅第 37 上的 “安装
和配置硬件
中的相应节,然后遵循上述说明恢复高速存数据。
电池记忆周期
记忆周期是控制器定期执行的电操作,用于确定状况。此操作
禁用。
: 当由记忆周期而致电池电时,虚拟磁盘将自动切换
Write-Through (直写式)式。